士蘭微2024年上半年預(yù)計(jì)虧損2000萬(wàn)-3000萬(wàn) 下游電動(dòng)汽車市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇導(dǎo)致部分產(chǎn)品價(jià)格下降
挖貝網(wǎng)7月10日,士蘭微(600460)發(fā)布2024年半年度業(yè)績(jī)預(yù)告:預(yù)計(jì)2024年半年度實(shí)現(xiàn)歸屬于母公司所有者的凈利潤(rùn)為-2,000萬(wàn)元到-3,000萬(wàn)元,與上年同期相比,將減少虧損1,122萬(wàn)元到2,122萬(wàn)元。
公告顯示,業(yè)績(jī)預(yù)告期間為2024年1月1日至2024年6月30日,預(yù)計(jì)2024年半年度實(shí)現(xiàn)歸屬于母公司所有者的扣除非經(jīng)常性損益后的凈利潤(rùn)為12,189萬(wàn)元到13,189萬(wàn)元,與上年同期相比,將減少3,070萬(wàn)元到4,070萬(wàn)元,同比減少19%到25%。
報(bào)告期內(nèi),公司持有的其他非流動(dòng)金融資產(chǎn)中昱能科技、安路科技股票價(jià)格下跌,導(dǎo)致其公允價(jià)值變動(dòng)產(chǎn)生的稅后凈收益為-16,217萬(wàn)元。
報(bào)告期內(nèi),公司持續(xù)加大模擬電路、IGBT器件、IPM智能功率模塊、PIM功率模塊、碳化硅功率模塊、超結(jié)MOSFET器件、MCU電路、化合物芯片和器件等產(chǎn)品在大型白電、通訊、工業(yè)、新能源、汽車等高門檻市場(chǎng)的推廣力度,公司總體營(yíng)收較去年同期增長(zhǎng)約18%。但同時(shí),由于下游電動(dòng)汽車、新能源市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇,導(dǎo)致部分產(chǎn)品價(jià)格下降較快,產(chǎn)品毛利率降低。對(duì)此,公司進(jìn)一步推出更高性能和更優(yōu)成本的產(chǎn)品,積極擴(kuò)大市場(chǎng)份額。
報(bào)告期內(nèi),公司子公司士蘭明鎵6英寸SiC功率器件芯片生產(chǎn)線尚處于產(chǎn)能爬坡階段,SiC芯片產(chǎn)出相對(duì)較少,資產(chǎn)折舊等固定生產(chǎn)成本相對(duì)較高,導(dǎo)致其虧損較大。目前士蘭明鎵SiC芯片生產(chǎn)線已處于較快上量中,隨著產(chǎn)出持續(xù)增加,預(yù)計(jì)其下半年虧損將逐步減少。
報(bào)告期內(nèi),公司持續(xù)加大對(duì)模擬電路、功率器件、功率模塊、MEMS傳感器、碳化硅MOSFET等新產(chǎn)品的研發(fā)投入,加快汽車級(jí)、工業(yè)級(jí)電路和器件芯片工藝平臺(tái)的建設(shè)進(jìn)度,加大汽車級(jí)功率模塊和新能源功率模塊的研發(fā)投入,公司研發(fā)費(fèi)用較去年同期增加34%左右。
挖貝網(wǎng)資料顯示,士蘭微從集成電路芯片設(shè)計(jì)業(yè)務(wù)開(kāi)始,逐步搭建了特色工藝的芯片制造平臺(tái),并已將技術(shù)和制造平臺(tái)延伸至功率器件、功率模塊、MEMS傳感器、光電器件的封裝領(lǐng)域,建立了較為完善的IDM(設(shè)計(jì)與制造一體)經(jīng)營(yíng)模式。
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