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創(chuàng)新引領未來,芯聯集成獲 “SiC模塊TOP企業(yè)獎”與“技術創(chuàng)新獎”兩大殊榮

2024/6/20 9:07:13     

6月19-20日,NE時代舉辦的2024第四屆全球xEV驅動系統(tǒng)技術暨產業(yè)大會召開,并同期舉行了2024第四屆中國優(yōu)秀電驅動企業(yè)&優(yōu)秀產品頒獎盛典。

在這場行業(yè)盛會上,公司憑借卓越的產品性能和創(chuàng)新能力,榮獲了“SiC功率模塊TOP企業(yè)獎”和“2024電驅動技術創(chuàng)新獎”兩項殊榮。這不僅是對公司技術實力的肯定,更是對公司在新能源領域不懈努力和持續(xù)創(chuàng)新的認可。

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“SiC功率模塊TOP企業(yè)獎”領獎現場

芯聯集成代表(右五)出席

SiC模塊作為新能源技術的關鍵組件,以其高效率、高可靠性和長壽命等優(yōu)勢,在新能源汽車、風光儲等領域發(fā)揮著重要作用。

2024年1-4月,公司車載功率模塊裝機量增速實現超過7倍的同比增長。據NE統(tǒng)計的2024年1-4月中國新能源乘用車功率模塊裝機量,公司1-4月功率模塊裝機量超32萬個,位列中國新能源乘用車功率模塊企業(yè)第四名,同比增速超757%。

作為SiC模塊領域的領軍企業(yè),公司在SiC領域持續(xù)保持技術創(chuàng)新。公司用了三年時間,迭代了三代SiC MOS產品,新第三代1200V SiC MOS 具備國際領先的芯片能力,已于2023年底在汽車主驅應用量產。

此次獲獎的1200V 600A SiC全橋塑封功率模塊,以其技術創(chuàng)新實力再次證明了公司在SiC領域的領先地位。該模塊產品具有三大亮點:

  • 大面積塑封半橋焊接工藝量產,解決了焊接空洞和塑封分層等難題;

  • 高結溫高可靠性,芯片雙面燒結,175℃功率循環(huán)高達15W次以上;

  • 低雜散電感4.5nH,低導通電阻2.1mohm,CLTC效率達98.6%。

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“2024電驅動技術創(chuàng)新獎”領獎現場

芯聯集成代表(右四)出席

公司持續(xù)引領碳化硅技術的創(chuàng)新浪潮,同時致力于成本的持續(xù)優(yōu)化,正積極通過將芯片制造從6英寸升級到8英寸,將器件類型從平面型轉向溝槽型,提升良率三大措施助力碳化硅技術創(chuàng)新和整體成本優(yōu)化。

尤為值得一提的是,今年4月,公司8英寸碳化硅工程批順利下線,這標志著公司是國內首個8英寸碳化硅的晶圓廠,這也將在很大程度上優(yōu)化下游客戶系統(tǒng)成本,加速碳化硅技術的大規(guī)模滲透。

此次公司榮獲NE時代“SiC功率模塊TOP企業(yè)獎”和“2024電驅動技術創(chuàng)新獎”,對公司而言,既是榮譽,更是前進動力。公司將繼續(xù)秉承創(chuàng)新驅動的發(fā)展理念,不斷推動技術進步,提升產品品質,為全球客戶提供更加優(yōu)質的產品和服務。

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來源:芯聯集成